[1]高风仙,徐励娟,张 匀,等. 锗掺杂改性纳米硅提升首次充放电效率 [J].电镀与精饰,2022,(7):50-54.[doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2022.07.009]
　GAO Fengxian,XU Lijuan,ZHANG Yun,et al.Germanium-Doped Modified Nano-Silicon Increases the First Coulombic Efficiency[J].Plating & Finishing,2022,(7):50-54.[doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2022.07.009]
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锗掺杂改性纳米硅提升首次充放电效率
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《电镀与精饰》[ISSN:1001-3849/CN:12-1096/TG]

卷:
期数:
2022年7
页码:
50-54
栏目:
出版日期:
2022-07-15

文章信息/Info

Title:
Germanium-Doped Modified Nano-Silicon Increases the First Coulombic Efficiency
作者:
（河南工程学院 化工与印染工程学院，河南 郑州 450007）
Author(s):
（College of Chemical and Printing-Dyeing Engineering， Henan University of Engineering， Zhengzhou 450007， China）
关键词:
纳米硅; 锗掺杂; 首次充放电效率; 电化学阻抗
Keywords:
nano silicon ;  germanium doping ;  the first Coulombic efficiency ;  electrochemical i mped ance
分类号:
TM912.9
DOI:
10.3969/j.issn.1001-3849.2022.07.009
文献标志码:
A
摘要:
纳米硅（ Si ）具有较高的充放电比容量，被认为是下一代锂离子电池最有前途的负极材料之一。然而，由于初始库仑效率低，严重限制了 Si 的实际应用。采用锗（ Ge ）对 Si 进行掺杂改性，并采用硼（ B ）和硫化锂（ Li 2 S ）作为对比研究，分别记为 Si-Ge 、 Si-B 和 Si-Li 2 S 。 X 射线衍射测试表明四种材料均在 28° 处有一个明显晶体硅的特征衍射峰。 Si 的首次放电比容量为 2640.5 mAh/g ，首次充电比容量为 437.6 mAh/g ，首次充放电效率为 16.6% 。添加锗改性材料 Si-Ge 的首次放电比容量为 2415.2 mAh/g ，首次充电比容量为 1191.7 mAh/g ，首次充放电效率为 49.3% ，在首次充放电效率方面有显著提升。经交流阻抗测试表明 Si-Ge 的电荷转移阻抗 R ct 为 136.7 Ω 显著小于 Si 的 465.4 Ω ，表明材料的导电性能提高。
Abstract:
： Nano-silicon has a higher charge-discharge capacity than silicon ， and is considered to be one of the most potential potential uses of lithium batteries. However ， due to the low first Coulomb efficiency ， the practical application of silicon is limited. Germanium （ Ge ） was used to dope Si ， and boron （ B ） and graphite （ Li 2 S ） were used as a comparative study ， denoted as Si-Ge ， Si-B and Si-Li 2 S ， respectively. This material has an obvious characteristic peak of crystalline silicon at 28°. The first discharge specific capacity of Si is 2640.5 mAh/g ， the first charge specific capacity is 437.6 mAh/g ， and the charge-discharge efficiency is 16.6%. The first discharge specific capacity of the material Si-Ge is 2415.2 mAh/g ， the first charge specific capacity is 1191.7 mAh/g ， and the first charge-discharge flow rate is 49.3% ， which significantly improves the first charge-discharge efficiency. The actual AC test verifies that the emission radiation R ct of Si-Ge is 136.7 Ω ， which is significantly smaller than that of Si 465.4 Ω ， which ensures that the electrical conductivity of the material is improved.

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期： 2021-12-04 修回日期： 2022-01-28 作者简介： 高风仙（ 1981 - ），女，博士，讲师，主要研究方向无机功能性材料， Email ： gaofx1008@163.com * 通信作者： 陈垒（ 1984 - ），男，博士，副教授，主要研究方向为锂电池材料， Email ： chenlei904@126.com 基金项目： 2021 年度河南省重点研发与推广专项（ 212102210215 ）、 2021 年度河南工程学院科研培育基金（ PYXM202101 ）?/html>
更新日期/Last Update: 2022-07-09