Li Peiyi,Wang Rui,Lei Cheng*,et al.Research on nickel plating rate on silicon carbide surface[J].Plating & Finishing,2023,(12):71-77.[doi:doi ： 10.3969/j.issn.1001-3849.2023.12.010]
碳化硅表面镀镍速率研究
- Title:
- Research on nickel plating rate on silicon carbide surface
- Keywords:
- silicon carbide ; nickel plating ; simulation
- 分类号:
- TQ153.2
- 文献标志码:
- A
- 摘要:
- 针对碳化硅基底深刻蚀过程中镍掩模的厚度会影响刻蚀效果，为解决电镀镍时电镀速率不同从而导致厚度无法保证的问题。采用 COMSOL Multiphysics 软件对阴极镀层厚度进行模拟的方法，研究了不同电导率对电镀速率的影响。通过对比相同条件下实际电镀速率来验证仿真的可靠性。结果表明：在 50 ℃ 下，当电导率为 15 S/m 时，阴极镀层速率为 408.3 nm/min ；在相同条件下进行实验，测得实际电镀速率为 425.5 nm/min ，验证了仿真模型的可靠性，为电镀镍工艺优化以及 SiC 硬掩模刻蚀提供了仿真依据。
- Abstract:
- ： In view of the thickness of the nickel mask during the deep erosion of the silicon carbide substrate will affect the etching effect ， so as to solve the problem that the thickness is different during nickel plating. The cathode plating thickness was simulated by COMSOL Multiphysics software to investigate the effect of different conductivity on the plating rate. The reliability of the simulation was verified by comparing the actual plating rates under the same conditions. The results show that at 50 ℃ ， when the conductivity is 15 S/m ， the cathode plating rate is 408.3 nm/min. Under the same conditions ， the actual plating rate is 425.5 nm/min ， which verifies the reliability and provides the simulation basis for nickel plating process optimization and SiC hard mask etching.
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备注/Memo
收稿日期： 2023-03-30 修回日期： 2023-05-31 作者简介： 李培仪（ 1999 －），男，硕士研究生， email ： l19834280025@163.com * 通信作者： 雷程（ 1987 －），男，博士，高级实验师， email ： leicheng@nuc.edu.cn 基金项目： 山西省科技重大专项计划“揭榜挂帅”项目（ 202201030201004 ）；山西省重点研发计划项目（ 202102030201001 & 202102030201009 ）?/html>