Li Zhaoying *,Li Mengmeng.Effect of silicon substrate temperature on properties of Ti films prepared by electron beam evaporation[J].Plating & Finishing,2024,(3):1-5.[doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2024.03.001]
硅衬底温度对电子束蒸发钛薄膜性能的影响
- Title:
- Effect of silicon substrate temperature on properties of Ti films prepared by electron beam evaporation
- Keywords:
- electron beam evaporation ; silicon substrate temperature ; titanium film ; square resistance ; residual stress ; surface roughness ; specular reflectance
- 分类号:
- TN305.8
- 文献标志码:
- A
- 摘要:
- 采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备 Ti 薄膜。采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得 Ti 薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力。结果表明，随着衬底温度从 25 ℃ 升高到 200 ℃ ， Ti 薄膜的厚度、方块电阻和残余应力逐渐降低；表面粗糙度先减小后增大，镜面反射率则先升高后降低。
- Abstract:
- ： Ti films were prepared on surface of silicon substrate by means of electron beam evaporation. The thickness ， surface roughness ， specular reflectance ， square resistance ， and residual stress of Ti films obtained at different silicon substrate temperature were analyzed by step profiler ， atomic force microscope ， reflectivity tester ， four probe resistance tester ， and stress tester ， respectively. The results showed that the thickness ， square resistance ， and residual stress of Ti films are decreased gradually with the increasing of silicon substrate temperature from 25 ℃ to 200 ℃. The surface roughness decreases first and then increases while the specular reflectance increases first and then decreases with the increasing of silicon substrate temperature.
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备注/Memo
收稿日期： 2023-06-18 修回日期： 2023-07-02 作者简介： 李兆营（ 1989 —），男，硕士，工程师， email ： lzy11189@126.com?/html>