[1]胡佳琦,邱 爽,王亚妮,等. 二甲基亚砜有机溶液中Sb-Te薄膜热电材料的电沉积制备 [J].电镀与精饰,2023,(10):83-89.[doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2023.10.014]
　Hu Jiaqi,Qiu Shuang,Wang Yani,et al.Electrolytic deposition of Sb-Te thin-film thermoelectric materials in DMSO organic solution[J].Plating & Finishing,2023,(10):83-89.[doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2023.10.014]
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二甲基亚砜有机溶液中Sb-Te薄膜热电材料的电沉积制备
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《电镀与精饰》[ISSN:1001-3849/CN:12-1096/TG]

卷:
期数:
2023年10
页码:
83-89
栏目:
出版日期:
2023-10-15

文章信息/Info

Title:
Electrolytic deposition of Sb-Te thin-film thermoelectric materials in DMSO organic solution
作者:
（天津商业大学 生物技术与食品科学学院，天津 300134）
Author(s):
（College of Biotechnology and Food Science， Tianjin University of Commerce， Tianjin 300134， China）
关键词:
热电材料; 电沉积;  Sb-Te 合金; 二甲基亚砜
Keywords:
thermoelectric materials ;  electrodeposition ;  Sb-Te alloy ;  DMSO
分类号:
TQ153.2
DOI:
10.3969/j.issn.1001-3849.2023.10.014
文献标志码:
A
摘要:
采用循环伏安以及阴极极化曲线的测试方法分析了二甲基亚砜有机溶液中纯 Sb 、纯 Te 、 Sb-Te 二元体系在 Au 电极上的还原过程。结合分析结果采用直流恒电位方式电沉积制备了 Sb-Te 二元薄膜热电材料，并采用 X 射线衍射（ XRD ）、扫描电子显微镜（ SEM ）、能谱仪（ EDS ）以及塞贝克系数测试系统对不同电位下制备出的 Sb-Te 二元薄膜热电材料的物相、形貌、组成、热电性能等进行了表征。结果表明：在 Au 电极上 Sb （ III ）、 Te （ IV ）离子的氧化还原行为均为不可逆过程，随着电位的不断负移，所制备出的薄膜热电材料表面粗糙度也在不断加大， Sb 、 Te 元素原子百分含量的比值在不断下降，不同电位下沉积出的材料均为 P 型热电材料。
Abstract:
： The reduction processes of Sb ， Te and Sb-Te binary system in dimethyl sulfoxide organic solution （ DMSO ） on Au electrode were analyzed by cyclic voltammetry and cathodic polarization curve testing methods. Combining the analysis results ， Sb-Te binary thin film thermoelectric materials were prepared by DC constant potential electrodeposition ， and then X-ray diffraction （ XRD ）， scanning electron microscopy （ SEM ）， energy dispersive spectroscopy （ EDS ） and Seebeck coefficient test system were used to analyze the phase ， morphology ， composition and thermoelectric properties of the Sb-Te binary thin film thermoelectric materials prepared at different potentials. The results show that the redox behavior of Sb （ III ） and Te （ IV ） ions on the Au electrode are all irreversible processes. With the continuous negative shift of potential ， the surface roughness of the prepared thin films continues to increase ， and the ratio of Sb and Te atomic percentages continues to decrease. The materials deposited at different potentials are all P-type thermoelectric materials.

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期： 2023-06-26 修回日期： 2023-07-10 作者简介： 胡佳琦（ 2002 —），女，本科生， email ： 3050584786@qq.com * 通信作者： 李菲晖， email ： tjlifeihui@126.com 基金项目： 国家自然科学基金资助项目（ 22005219 ）
更新日期/Last Update: 2023-10-07